| Revista: | Nova scientia |
| Base de datos: | PERIÓDICA |
| Número de sistema: | 000390522 |
| ISSN: | 2007-0705 |
| Autores: | Martín Mozo, J. Juan1 Mora Ramos, Miguel E2 |
| Instituciones: | 1Universidad Autónoma del Estado de Morelos, Centro de Investigación en Ingeniería y Ciencias Aplicadas, Cuernavaca, Morelos. México 2Universidad Autónoma del Estado de Morelos, Facultad de Ciencias, Cuernavaca, Morelos. México |
| Año: | 2010 |
| Periodo: | Oct |
| Volumen: | 2 |
| Número: | 4 |
| Paginación: | 33-57 |
| País: | México |
| Idioma: | Inglés |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Enfoque: | Aplicado, descriptivo |
| Resumen en español | Empleando un esquema de cálculo tight-binding que usa una base de orbitales sp3s*d5, se estudian propiedades de la estructura electrónica de un grupo de materiales semiconductores III-V los cuales son de interés para la tecnología de dispositivos electrónicos y optoelectrónicos. En específico, se analiza la influencia sobre estas propiedades de una tensión aplicada según la dirección cristalográfica [111], haciendo uso de una formulación presentada en la primera parte del trabajo [Mora-Ramos 2009]. Especial atención se presta a la inclusión del efecto de deformación interna de la red cristalina. Para cada material de los estudiados presentamos las dependencias de las brechas energéticas asociadas a los puntos Γ, X y L de la zona de Brillouin como funciones de la tensión uniaxial en AlP, InP, AlSb, GaSb, InSb. Asimismo, reportamos expresiones de ajuste para los valores de las principales brechas energéticas en esos cinco materiales. Se detecta una fuerte dependencia no lineal de estas magnitudes, así como de las masas efectivas de conducción, con la tensión |
| Resumen en inglés | The sp3s*d5 empirical tight-binding approach is used to study some properties of the electronic structure in a group of III-V zincblende semiconductors which are of most intersest to electronics and optoelectronics. Particularly, it is investigated the influence of [111] uniaxial strain upon these properties. We make use of a formulation outlined in the first part of this work [Mora-Ramos 2009]. Special attention is paid to the inclusion of the internal deformation effect. We present the variation of the Γ-, X- and L-related energy gaps and conduction band effective masses as functions of the uniaxial strain in the case of AlP, InP, AlSb, GaSb, and InSb. Fitting expressions for the main energy band gaps are reported for these five materials. A strong strain-induced non-linear behavior of these quantities as well as of the conduction band effective masses is observed |
| Disciplinas: | Ingeniería |
| Palabras clave: | Ingeniería de materiales, Ingeniería electrónica, Semiconductores, Estructura electrónica, Tensión uniaxial, Antimoniuros, Fosfuros |
| Keyword: | Engineering, Electronic engineering, Materials engineering, Semiconductors, Electronic structure, Uniaxial strain, Antimonides, Phosphides |
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