| Revista: | Mundo nano. Revista interdisciplinaria en nanociencias y nanotecnología |
| Base de datos: | |
| Número de sistema: | 000586798 |
| ISSN: | 2448-5691 |
| Autores: | Martínez Guerra, E.1 Cifuentes Quintal, M. E.1 Coss, R. De1 |
| Instituciones: | 1Instituto Politécnico Nacional, Cinvestav, Mérida. México 2Universidad Autónoma de Nuevo León, Facultad de Ciencias Físico-Matemáticas, San Nicolás de los Garza. México |
| Año: | 2009 |
| Periodo: | Ene-Jun |
| Volumen: | 2 |
| Número: | 1 |
| Paginación: | 15-23 |
| País: | México |
| Idioma: | Español |
| Resumen en español | Desde su descubrimiento en 2004, el grafeno ha generado una gran expectativa para sustituir la tecnología actual basada en silicio. En este trabajo, discutimos de manera simple cuáles son las propiedades que sustentan esta expectativa. En particular, nos referimos a las propiedades electrónicas y de transporte que se pueden aprovechar en dispositivos de alta velocidad. Además, presentamos una comparación (teoría y experimento) de las cantidades físicas que deben ser controladas antes de diseñar esta clase de dispositivos: dispersión de energía, velocidad de Fermi y masa ciclotrónica. Finalmente, proyectamos algunas formas de modular estas cantidades. Importancia de divulgación. El grafeno es sin duda un material que revolucionará la tecnología actual. Sin embargo, a casi 5 años de su descubrimiento, en México hay muy pocos grupos de investigación que lo estudian en forma experimental y teórica. Estamos convencidos que es fundamental interesar a jóvenes de bachillerato y estudiantes universitarios en la investigación básica y aplicada de este material si queremos que nuestro país no se quede al margen de las próximas innovaciones tecnológicas, como ya le ocurrió a la generación del silicio. |
| Texto completo: | Texto completo (Ver PDF) Texto completo (Ver HTML) |
