| Revista: | Momento |
| Base de datos: | PERIÓDICA |
| Número de sistema: | 000406724 |
| ISSN: | 0121-4470 |
| Autores: | Bernal Correa, Roberto1 Velásquez, Carlos M1 López López, Máximo2 Pulzara Mora, Alvaro1 |
| Instituciones: | 1Universidad Nacional de Colombia, Laboratorio de Nanoestructuras Semiconductoras, Manizales, Caldas. Colombia 2Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, México, Distrito Federal. México |
| Año: | 2014 |
| Periodo: | Jun |
| Número: | 48 |
| Paginación: | 34-46 |
| País: | Colombia |
| Idioma: | Español |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Enfoque: | Analítico, descriptivo |
| Resumen en español | Capas de InN fueron preparadas por pulverización catódica asistida por campo magnético, en una atmosfera mixta de argón y nitrógeno sobre substratos de Si(100), Si(111) y vidrio. La temperatura del substrato Ts se varió (300-500 oC) con el fin de correlacionarla con las propiedades ópticas, estructurales y morfológicas de las capas. Los resultados rayos-X permitieron revelar la presencia de InN hexagonal tipo wurtzita en cada una de las capas, además de óxidos de indio (InxOy) atribuidos a diferentes factores. Se evidenció una dependencia en la calidad cristalina de cada una de las capas en función de Ts. El coeficiente de absorción óptica y el ancho de banda fueron determinados a partir de los espectros de absorbancia y transmitancia obtenidos por UV/Vis. Modos vibraciones asociados al semiconductor InN y InxOy fueron identificados por microscopia Raman. La morfología de las capas y el tamaño de grano fue analizado a partir de micrografías SEM donde se logró determinar la formación de macropartículas ~ 0.5 mm y nanopartículas ~ 50 nm de diferentes geometrías |
| Resumen en inglés | InN layers were prepared by magnetron sputtering, in a mixed atmosphere of argon and nitrogen on Si substrates (100), Si (111), and glass. The substrate temperature Ts was varied (300-500 oC) in order to correlate it with the optical, structural, and morphological properties of the layers. X-ray results have revealed a presence of hexagonal InN type wurtzite in each of the layers in addition to oxides of indium (InxOy) attributed to different factors. Dependence was evident on the crystalline quality of each layer according to Ts. The optical absorption coefficient and the band gap were determined from the absorbance and transmittance spectra obtained by UV/Vis. Vibration modes associated with the semiconductor InN and InxOy were identified by Raman microscopy. The morphology of the layers and the grain size was analyzed from SEM micrographs where it was determined the formation of particulates ~ 0.5 mm and ~ 50 nm of different geometries |
| Disciplinas: | Física y astronomía, Ingeniería |
| Palabras clave: | Física de materia condensada, Ingeniería de materiales, Nitruro de indio, Pulverización catódica, Espectroscopía Raman, Semiconductores, Nanopartículas |
| Keyword: | Physics and astronomy, Engineering, Condensed matter physics, Materials engineering, Indium nitride, Magnetron sputtering, Raman spectroscopy, Semiconductors, Nanoparticles |
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