| Revista: | Memoria Electro - Congreso Internacional de Ingeniería Electrónica |
| Base de datos: | PERIÓDICA |
| Número de sistema: | 000274122 |
| ISSN: | 1405-2172 |
| Autores: | Romero, R. de J1 Loyo, V |
| Instituciones: | 1Instituto Nacional de Astrofísica, Optica y Electrónica, Departamento de Electrónica, Tonantzintla, Puebla. México |
| Año: | 1996 |
| Periodo: | Oct |
| Volumen: | 18 |
| Paginación: | 15-19 |
| País: | México |
| Idioma: | Español |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Enfoque: | Analítico |
| Resumen en español | En este trabajo se presenta el modelado de cuatro de los fenómenos principales que involucran a los semiconductores fabricados en silicio. Los resultados del modelado se muestran en forma de figuras al calce del artículo |
| Resumen en inglés | In this paper is shown the development of the modeling of four basis phenomena in silicon semiconductors. The results are presented in a graphical way at the end of this work |
| Disciplinas: | Física y astronomía, Ingeniería |
| Palabras clave: | Física de partículas y campos cuánticos, Ingeniería de materiales, Silicio, Fenómenos físicos, Modelado |
| Keyword: | Physics and astronomy, Engineering, Particle physics and quantum fields, Materials engineering, Silicon, Physical phenomena, Modeling |
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