| Revista: | Journal of the Brazilian Chemical Society |
| Base de datos: | PERIÓDICA |
| Número de sistema: | 000311794 |
| ISSN: | 0103-5053 |
| Autores: | Sucasaire, Wilmer1 Matsuoka, Masao Lopes, Karina C Mittani, Juan C.R Avanci, Luis H Chubaci, Jose F.D Added, Nemitala Trava, Vladimir2 Corat, Evaldo J |
| Instituciones: | 1Universidade de Sao Paulo, Instituto de Fisica, Sao Paulo. Brasil 2Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Sao Jose dos Campos, Sao Paulo. Brasil |
| Año: | 2006 |
| Periodo: | Oct |
| Volumen: | 17 |
| Número: | 6 |
| Paginación: | 1163-1169 |
| País: | Brasil |
| Idioma: | Inglés |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Enfoque: | Experimental, aplicado |
| Resumen en inglés | Carbon nitride films prepared by ion beam assisted deposition were studied by Raman and infrared spectroscopy, as a function of nitrogen ion energy (200, 400, and 600 eV) and the ion to atom arrival rate ratio R(I/A) ranging from 0.9 to 2.5. The composition ratio N/C in the film determined by elastic recoil detection analysis was found to be proportional to R(I/A); however, the film growth is possible only if R(I/A) is smaller than a critical value of chemical sputtering yield. This value was found to be 0.21. The maximum value of N/C obtained was 0.9 (47 at.% of nitrogen) for the film deposited with ion energy of 400 eV. In order to understand the effect of nitrogen incorporation on the structure of the films, the parameters were determined from the Raman spectra analysis of the films and found to show strong dependences of the nitrogen content in the films; the behaviors of the G peak position and width, and I D/I G ratio are correlated with the structure changes in the films |
| Resumen en portugués | Filmes de nitreto de carbono, preparados por deposição assistida por feixe de íons, foram estudados pela espectroscopia de Raman e infravermelho, em função de energia de íons (200, 400, e 600 eV) e razão de chegada de íon a átomo R(I/A) de 0,9 a 2,5. A razão de composição N/C no filme, determinada por análise de detecção de recuo elástico, foi encontrada proporcional a R(I/A); porém, a formação de filme é possível somente se R(I/A) for menor do que um valor crítico da eficiência de "sputtering" químico. Esse valor encontrado foi de 0,21. O valor máximo de N/C obtido foi de 0,9 (47% atômica de nitrogênio) para o filme depositado com 400 eV. Para entender o efeito de incorporação de nitrogênio na estrutura dos filmes, os parâmetros foram determinados pela análise dos espectros Raman e encontrados fortes dependências da quantidade de nitrogênio nos filmes; os comportamentos da posição e da largura do pico G, e da razão I D/I G são correlacionados com as mudanças estruturais nos filmes |
| Disciplinas: | Química |
| Palabras clave: | Química analítica, Nitruro de carbono, Espectroscopía Raman, Espectroscopía de infrarrojo, Depositación por haz iónico |
| Keyword: | Chemistry, Analytical chemistry, Carbon nitride, Raman spectroscopy, Infrared spectroscopy, Ion beam deposition |
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