| Revista: | Journal of applied research and technology |
| Base de datos: | PERIÓDICA |
| Número de sistema: | 000367676 |
| ISSN: | 1665-6423 |
| Autores: | Sandoval Ibarra, F1 Hernández Bernal, E. S1 |
| Instituciones: | 1Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, México, Distrito Federal. México |
| Año: | 2008 |
| Periodo: | Abr |
| Volumen: | 6 |
| Número: | 1 |
| Paginación: | 54-64 |
| País: | México |
| Idioma: | Inglés |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Enfoque: | Analítico, descriptivo |
| Resumen en español | Esta publicación presenta recomendaciones de diseño en osciladores de anillo basados en compuertas NOT. La compuerta NOT se usa como medio para introducir fundamentos de propagación de señales y para presentar modelos simples de diseño. Se presentan resultados de simulación y experimentales para mostrar la utilidad de los modelos de diseño. Sin embargo, para aplicaciones de alta frecuencia diversas consideraciones de diseño son incorporadas a nivel layout, no sólo para minimizar efectos no deseados, sino también para caracterizar eléctricamente los circuitos bajo estudio |
| Resumen en inglés | This paper presents design hints in CMOS ring oscillators based on NOT gates. The NOT gate is used as vehicle to introduce basics on signal propagation and also to present simple design models. Both simulation and experimental results are presented in order to show the usefulness of the design models. However, for high frequency oscillators several design strategies that are translated at layout level are also described not only to minimize undesirable effects, but also for testing the circuit under study (CUS) |
| Disciplinas: | Ingeniería |
| Palabras clave: | Ingeniería electrónica, Microelectrónica, Dispositivos semiconductores, Circuitos integrados, Efecto de campo |
| Keyword: | Engineering, Electronic engineering, Microelectronics, Semiconductor devices, Integrated circuits, Field effect |
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