Diseno y construccion de un transistor mos de doble difusion
Título del documento: Diseno y construccion de un transistor mos de doble difusion
Revista: Ingeniería electrónica, automática y comunicaciones
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000123760
ISSN: 0258-5944
Autores: 1
Instituciones: 1Instituto Superior Politécnico "José Antonio Echeverría", Fac Electronica Cibernetica Comunicaciones, Dep Fisica, La Habana. Cuba
Año:
Periodo: Nov
Volumen: 6
Número: 4
Paginación: 316-321
País: Cuba
Tipo de documento: Reporte técnico
Enfoque: Experimental, aplicado
Disciplinas: Ingeniería,
Física y astronomía
Palabras clave: Ingeniería electrónica,
Física de materia condensada,
Transistores,
MOS,
Diseño,
Construcción,
Doble difusion
Keyword: Engineering,
Physics and astronomy,
Electronic engineering,
Condensed matter physics,
Transistors,
Mos,
Design,
Construction,
Double diffusion
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