| Revista: | Científica (México, D.F.) |
| Base de datos: | |
| Número de sistema: | 000594471 |
| ISSN: | 1665-0654 |
| Autores: | Larruz-Castillo, Irving1 Pacheco-Sánchez, Aníbal2 Valdez-Peréz, Donato1 |
| Instituciones: | 1Instituto Politécnico Nacional, 2Universitat Autonoma de Barcelona, |
| Año: | 2020 |
| Volumen: | 24 |
| Número: | 2 |
| Paginación: | 111-123 |
| País: | México |
| Idioma: | Español |
| Resumen en inglés | A literature review about the carbon nanotubes (CNTs) highfrequency electrical properties and their applications is exhibited on the following paper. The results of these implementations are shown and analyzed. A CNT-based RLC model for interconnectors is selected and a brief analysis of it is performed on detail. The device impedance function is obtained and by using the suggested values of the CNT-interconnects an analysis at high frequencies (more than 100 GHz) is presented. The device scattering parameters (S) equations are calculated from the ABCD matrix representation of equivalent circuit components. An optimization of such characteristic equation using the RLC circuit components towards the description of the experimental device data is performed. Lastly, the challenges of the CNTs based interconnectors fabrication used on different devices are discussed. |
| Resumen en español | En el siguiente documento se hace una revisión bibliográfica sobre las propiedades eléctricas de los nanotubos de carbono (CNT) en altas frecuencias y como han sido implementados como interconectores en diferentes dispositivos. Se muestran los resultados de dichas implementaciones y se analizan para su interpretación. De la bibliografía revisada, se selecciona un modelo RLC de interconectores con base en CNT y se hace un estudio del mismo. Se obtiene una función para la impedancia del dispositivo y utilizando los valores teóricos sugeridos para el modelo RLC, se extiende su análisis en altas frecuencias (mayores a 100 GHz). A partir de la representación matricial tipo ABCD de los componentes del circuito equivalente, se calculan las ecuaciones de los parámetros de dispersión (S) para este dispositivo. A partir de esta ecuación característica se realiza una optimización de los componentes del circuito RLC hacia una correcta descripción de los datos experimentales del dispositivo. Por último, se discuten los retos en la fabricación de interconectores con base en CNT. |
| Palabras clave: | ecuación de impedancia, modelo compacto, parámetros S, parámetros ABCD, estado del arte |
| Keyword: | ABCD-parameters, compact-model, impedance equation, literature review, S-parameters |
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