Nitrogen doping in amorphous semiconductors
Título del documento: Nitrogen doping in amorphous semiconductors
Revista: Brazilian journal of physics
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000007972
ISSN: 0103-9733
Autores: 1
Instituciones: 1Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin", Campinas, Sao Paulo. Brasil
Año:
Periodo: Mar
Volumen: 24
Número: 1
Paginación: 434-437
País: Brasil
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Analítico
Disciplinas: Física y astronomía
Palabras clave: Física de materia condensada,
Amorfos,
Silicio,
Germanio,
Nitrógeno,
Semiconductores,
Películas delgadas,
Propiedades electrónicas
Keyword: Physics and astronomy,
Condensed matter physics,
Silicon,
Nitrogen,
Amorphous,
Germanium,
Thin films,
Semiconductors,
Electronic properties
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