| Revista: | Tepexi boletín científico de la escuela superior tepeji del río |
| Base de datos: | |
| Número de sistema: | 000585898 |
| ISSN: | 2007-7629 |
| Autores: | Thoti, Narasimhulu1 |
| Instituciones: | 1Golden Valley Integrated Campus, Madanapalli, |
| Año: | 2018 |
| Volumen: | 5 |
| Número: | 10 |
| País: | México |
| Idioma: | Español |
| Resumen en español | El flujo de fabricación de IC tiene muchos pasos de proceso, que deberían ser bien elegidos para un rendimiento optimizado. En nuestro estudio, se han investigado algunos pasos del proceso para mejorar el rendimiento mediante el uso de la simulación de proceso de Synopsys TCAD. Este trabajo incluye procesos tales como mecanismos de oxidación, difusión y recocido. Se presenta un resultado optimizado para la oxidación considerando las diferentes condiciones de temperatura en diferentes intervalos de tiempo. Un mecanismo importante como la canalización está bien estimado y se ha demostrado que un ángulo de 7o es el valor sofisticado para reducir el mecanismo de canalización. Y finalmente se ha investigado el mecanismo de recocido y se informaron los resultados. |
| Texto completo: | Texto completo (Ver PDF) |
