| Revista: | Superficies y vacío |
| Base de datos: | PERIÓDICA |
| Número de sistema: | 000405034 |
| ISSN: | 1665-3521 |
| Autores: | López, E1 Arriaga, J1 Olguín, D2 |
| Instituciones: | 1Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Instituto de Física, Puebla. México 2Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, México, Distrito Federal. México |
| Año: | 2004 |
| Periodo: | Mar |
| Volumen: | 17 |
| Número: | 1 |
| Paginación: | 21-26 |
| País: | México |
| Idioma: | Español |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Enfoque: | Analítico |
| Resumen en español | Utilizando el formalismo de la teoría del funcional de la densidad (DFT) con la aproximación del gradiente generalizado (GGA), calculamos las propiedades electrónicas de los nitruros AlN, GaN, InN en su estructura zincblenda (ZB)y wurzita (WZ), comparamos con datos teóricos y experimentales obtenidos en la literatura |
| Resumen en inglés | Within the Density Functional Theory (DFT) framework, including the generalized gradient approach (GGA) to the exchange-correlation part of the total energy, we have calculated the electronic properties of the nitrides AlN, GaN and InN in the zin-blende (ZB) and wurzite (WZ) crystal structure. We compare our results with theoretical and experimental data obtained in the literature |
| Disciplinas: | Física y astronomía, Ingeniería |
| Palabras clave: | Física de materia condensada, Ingeniería de materiales, Estado sólido, Teoría del funcional de la densidad (DFT), Nitruros, Aluminio, Galio, Indio, Propiedades electrónicas |
| Keyword: | Physics and astronomy, Engineering, Condensed matter physics, Materials engineering, Solid state, Density functional theory (DFT), Nitrides, Aluminum, Gallium, Indium, Electronic properties |
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