| Revista: | Revista mexicana de física |
| Base de datos: | PERIÓDICA |
| Número de sistema: | 000215881 |
| ISSN: | 0035-001X |
| Autores: | Peykov, P1 Aceves, M Díaz, T2 |
| Instituciones: | 1Instituto Nacional de Astrofísica, Optica y Electrónica, Tonantzintla, Puebla. México 2Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Centro de Investigaciones en Dispositivos Semiconductores, Puebla. México |
| Año: | 2004 |
| Periodo: | Feb |
| Volumen: | 50 |
| Número: | 1 |
| Paginación: | 1-5 |
| País: | México |
| Idioma: | Inglés |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Enfoque: | Descriptivo |
| Resumen en español | En mediciones del tiempo de vida de generación usando el método de Zerbst, se determina el tiempo de vida de generación efectivo. De acuerdo con el modelo usado, este parámetro incluye; el tiempo de vida de generación real, la velocidad de generación en la región superficial de la región de carga espacial (scr) lateral y el diámetro de la compuerta. En este trabajo se muestra que no toda el área, sino solo una parte, de la scr superficial lateral permanece completamente desértica de portadores durante la medida. Se propone una corrección al modelo para tomar en cuenta, solo la contribución efectiva de la velocidad de generación en la scr al proceso de generación. Se muestra también, la influencia de esta corrección, sobre el tiempo de vida de generación obtenida por la técnica Zerbst |
| Resumen en inglés | In the measurements of the generation lifetime, using the method of Zerbst, an effective generation lifetime is measured. According to the model used, this parameter includes the real generation lifetime, surface generation velocity at the depleted lateral space charge region and the diameter of the gate. In this paper is shown that not all but part of the lateral space charge region is fully depleted during the time of measurement. A correction of the model, taking into account the contribution of surface generation velocity only on the depleted lateral space charge region to the generation process, is proposed. The influence of this correction on the generation lifetime obtained by the method of Zerbst is shown |
| Disciplinas: | Física y astronomía |
| Palabras clave: | Física, Física de materia condensada, Semiconductores, Tiempo de vida, Estructuras MOS |
| Keyword: | Physics and astronomy, Condensed matter physics, Physics, Semiconductors, Lifetime, MOS structures |
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