Revista: | Revista de la Sociedad Química de México |
Base de datos: | PERIÓDICA |
Número de sistema: | 000174264 |
ISSN: | 0583-7693 |
Autores: | Ramírez Ortiz, Jorge1 Ogura, Tetsuya2 Ríos Martínez, Carlos3 Rodríguez Fernández, Luis4 Flores Zúñiga, Horacio5 |
Instituciones: | 1Universidad Autónoma de Zacatecas, Facultad de Ciencias Químicas, Zacatecas. México 2Universidad Autónoma de Guadalajara, Guadalajara, Jalisco. México 3Universidad Autónoma de Zacatecas, Zacatecas. México 4Universidad Nacional Autónoma de México, Instituto de Física, México, Distrito Federal. México 5Centro de Investigación en Materiales Avanzados S.C., Departamento de Metalurgia, Chihuahua. México |
Año: | 2000 |
Periodo: | Oct-Dic |
Volumen: | 44 |
Número: | 4 |
Paginación: | 266-269 |
País: | México |
Idioma: | Español |
Tipo de documento: | Artículo |
Enfoque: | Experimental |
Resumen en español | La deposición química de vapor (CVD) es una técnica que se ha utilizado con éxito para obtener películas metálicas delgadas de cobre. Adicionalmente, mediante el tratamiento previo del substrato se puede depositar selectivamente, esto es, recubrir sólo aquellas regiones predeterminadas del substrato. En este trabajo se presentan los resultados de la producción in situ de semillas de algunos metales empleados con éxito en el depósito selectivo de Cu sobre obleas de silicio |
Resumen en inglés | Chemical Vapor Deposition (CVD) is a technique which has been used successfully for obtaining thin copper metallic films. Additionally, through prior treatment of the substrate, selective deposits can be carried out, that is, coating only the predetermined regions of the substrate. In this work we present the results of the in situ production of seeds made from some metals used successfully in the selective deposition of Cu on silicon wafers |
Disciplinas: | Química |
Palabras clave: | Química analítica, Cobre, Deposición química de vapor, Semiconductores |
Keyword: | Chemistry, Analytical chemistry, Copper, Chemical vapor deposition, Semiconductors |
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