Deposición selectiva de cobre utilizando CVD



Título del documento: Deposición selectiva de cobre utilizando CVD
Revista: Revista de la Sociedad Química de México
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000174264
ISSN: 0583-7693
Autores: 1
2
3
4
5
Instituciones: 1Universidad Autónoma de Zacatecas, Facultad de Ciencias Químicas, Zacatecas. México
2Universidad Autónoma de Guadalajara, Guadalajara, Jalisco. México
3Universidad Autónoma de Zacatecas, Zacatecas. México
4Universidad Nacional Autónoma de México, Instituto de Física, México, Distrito Federal. México
5Centro de Investigación en Materiales Avanzados S.C., Departamento de Metalurgia, Chihuahua. México
Año:
Periodo: Oct-Dic
Volumen: 44
Número: 4
Paginación: 266-269
País: México
Idioma: Español
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Experimental
Resumen en español La deposición química de vapor (CVD) es una técnica que se ha utilizado con éxito para obtener películas metálicas delgadas de cobre. Adicionalmente, mediante el tratamiento previo del substrato se puede depositar selectivamente, esto es, recubrir sólo aquellas regiones predeterminadas del substrato. En este trabajo se presentan los resultados de la producción in situ de semillas de algunos metales empleados con éxito en el depósito selectivo de Cu sobre obleas de silicio
Resumen en inglés Chemical Vapor Deposition (CVD) is a technique which has been used successfully for obtaining thin copper metallic films. Additionally, through prior treatment of the substrate, selective deposits can be carried out, that is, coating only the predetermined regions of the substrate. In this work we present the results of the in situ production of seeds made from some metals used successfully in the selective deposition of Cu on silicon wafers
Disciplinas: Química
Palabras clave: Química analítica,
Cobre,
Deposición química de vapor,
Semiconductores
Keyword: Chemistry,
Analytical chemistry,
Copper,
Chemical vapor deposition,
Semiconductors
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