| Revista: | PÄDI boletín científico de ciencias básicas e ingenierías del ICBI |
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| Número de sistema: | 000578370 |
| ISSN: | 2007-6363 |
| Autores: | González-Vidal, José Luis1 Veloz-Rodríguez, María Aurora1 Lira-Hernández, Iván Alonso1 García-Rivera, Max1 Vázquez-García, Rosa Ángeles1 Raygoza-Panduro, Juan José2 |
| Instituciones: | 1Universidad Autónoma del Estado de Hidalgo, 2Universidad de Guadalajara, |
| Año: | 2021 |
| Volumen: | 9 |
| Número: | s/n |
| Paginación: | 99-105 |
| País: | México |
| Idioma: | Español |
| Resumen en inglés | The aim of this work is providing to students of electronics, computing and related areas, an overview of the construction and behavior of fin field effect transistors (FinFETs), which are tiny devices, with gate length in the nanometer range, they are manufactured using the silicon-on-insulator (SOI) technique. Using FinFETs type n and p, the schematic diagrams and layouts of the basic logic gates were designed, this kind of gates are the basis for the design and construction of most of the digital electronic devices used in modern electronic devices, mainly portable ones. With the exceedingly small sizes of FinFETs, all microprocessors, DSPs, memories and the chips of cell phones and tablets are manufactured from the most important electronic companies in the world. |
| Resumen en español | El objetivo de este trabajo es proporcionar a los estudiantes de electrónica, computación y áreas afines, un panorama de la construcción y funcionamiento de los transistores de efecto de campo de aleta (FinFET), los cuales son dispositivos extremadamente diminutos, con longitud de compuerta en el rango de los nanómetros, se fabrican con la técnica de silicio sobre aislante (SOI). Utilizando FinFETs tipo n y p se diseñaron los diagramas esquemáticos y las formas y dimensiones de los materiales utilizando un código de colores (layouts) de las compuertas lógicas básicas, este tipo de compuertas son la base para el diseño y construcción de la mayoría de los dispositivos digitales utilizados en los aparatos electrónicos modernos, principalmente los portátiles. Con los tamaños tan reducidos de los FinFET se fabrican todos los microprocesadores, los DSPs, las memorias, los chips de los teléfonos celulares y tabletas de las compañías electrónicas más importantes del mundo. |
| Palabras clave: | FinFET, Silicio sobre aislante, ULSI, CMOS |
| Keyword: | FINFET, SOI, ULSI, CMOS |
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