| Revista: | Nova scientia |
| Base de datos: | PERIÓDICA |
| Número de sistema: | 000393113 |
| ISSN: | 2007-0705 |
| Autores: | Mendoza Alvarez, Alejandro1 Fernández Anaya, Guillermo1 Flores Godoy, José Job1 Diago Cisneros, Leo1 |
| Instituciones: | 1Universidad Iberoamericana, Departamento de Física y Matemáticas, México, Distrito Federal. México |
| Año: | 2011 |
| Periodo: | Oct |
| Volumen: | 3 |
| Número: | 6 |
| Paginación: | 47-67 |
| País: | México |
| Idioma: | Inglés |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Enfoque: | Aplicado, descriptivo |
| Resumen en español | En este artículo se analiza el cambio del perfil potencial dispersor en algunos compuestos, considerando el efecto de mezcla de huecos ligeros y pesados. Esto se obtiene aplicando el Teorema de Shur's Generalizado al problema cuadrático de autovalores obtenido a partir del problema que surge de un sistema de ecuaciones diferenciales N-acoplado del segundo orden, en el marco de la Aproximación de Masa Efectiva Multibanda. Consideramos energías incidentes menores, iguales y mayores que la altura de la barrera del potencial dispersor para diferentes compuesto binarios semiconductores del grupo III-V. En la descripción del perfil del potencial, empleamos el modelo de bandas de Kohn-lutinger (4x4) y (2x2) por completitud. Las propiedades estándar como pozo cuántico o barrera potencial de los compuestos binarios considerados, resultaron en lo general garantizadas, mas no todos los materiales seleccionados mostraron la evolución esperada en su perfil potencial: algunos que constituyen pozos cuánticos (QW) en aplicaciones tecnológicas, presentaron un comportamiento de barrera potencial efectiva (B) para huecos ligeros (lh), a diferentes rangos de energía incidente E y diferentes mezclas. En este estudio, ninguno de los compuestos con comportamiento de barrera en aplicaciones tecnológicas, evolucionó a un comportamiento de QW efectivo, válido tanto para lh como hh. Sorprendentemente todos los compuestos en este estudio que constituyen barreras en aplicaciones tecnológicas, presentaron transiciones desde QW a B para lh en el rango donde el valor de la energía es mayor que la altura de la barrera Vo |
| Resumen en inglés | In this paper we present the change in the effective potential profile of some compounds when the bandmixing of light and heavy holes is altered. We obtained this by applying Generalized Shur's Theorem to an eigenvalue quadratic problem obtained from a system with N second order coupled equations in the context of multiband effective mass approximation. We considered incident energy values that were lower, equal, and higher than the height of the dispersive potential barrier for different III-V semiconductor binary compounds. Most of the standard properties of the binary compounds in this study were guaranteed; but not all of the materials we chose, have shown the evolution we expected in their effective potential profile: some of the ones that constitute quantum wells (QW) in technological applications only evolve into effective barrier (B) behaviors for light holes (lh) when they are in different incident energy (E) ranges and present different bandmixing. None of the barrier constituting compounds for technological applications in this study evolves into effective QW behaviors valid for both lh and hh. Surprisingly enough, all of the compounds in this study that constitute standard barriers in technological applications, present transitions from QW to B for lh in the range where the value of E is higher than the height of the barrier |
| Disciplinas: | Física y astronomía |
| Palabras clave: | Física de partículas y campos cuánticos, Perfil del potencial dispersor, Simulación numérica, Problema cuadrático de autovalores |
| Keyword: | Physics and astronomy, Particle physics and quantum fields, Dispersing potential profile, Numerical simulation, Quadratic eigenvalue problem |
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