| Revista: | Memoria Electro - Congreso Internacional de Ingeniería Electrónica |
| Base de datos: | PERIÓDICA |
| Número de sistema: | 000274124 |
| ISSN: | 1405-2172 |
| Autores: | García Olivares, Rosa1 Zemliak, Alexandre Celaya Borges, Carlos |
| Instituciones: | 1Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Escuela de Ciencias de la Electrónica, Puebla. México |
| Año: | 1996 |
| Periodo: | Oct |
| Volumen: | 18 |
| Paginación: | 20-25 |
| País: | México |
| Idioma: | Español |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Enfoque: | Analítico |
| Resumen en español | En base a los modelos térmicos se presenta la distribución teórica exacta de la temperatura en la región activa de un diodo IMPATT. El modelo térmico de diodo está basado en la solución numérica de la ecuación de termoconductividad no lineal y no uniforme para el cristal de silicio, con contactos planos y disipador de calor. Se determina la estructura de temperatura en el semiconductor en algún punto interno del dispositivo para cualquier tiempo dado. La solución numérica de la ecuación es calculada por el método de diferencias finitas. Para mejorar la precisión de la aproximación, se utiliza un esquema numérico de alto orden. La ecuación es resuelta alternando la dirección en el método de iteración para cada coordenada de dirección y aplicando un método de dos pasos para su solución |
| Disciplinas: | Ingeniería |
| Palabras clave: | Ingeniería de materiales, Ingeniería electrónica, Diodo IMPATT, Semiconductores, Modelos termodinámicos |
| Keyword: | Engineering, Electronic engineering, Materials engineering, IMPATT diodes, Semiconductors, Thermodynamic models |
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