Modelo de barreras para la predifusion de boro en presencia de una capa de boro - silicio
Título del documento: Modelo de barreras para la predifusion de boro en presencia de una capa de boro - silicio
Revista: Ingeniería electrónica, automática y comunicaciones
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000107771
ISSN: 0258-5944
Autores: 1
2
Instituciones: 1Instituto Superior Politécnico "José Antonio Echeverría", La Habana. Cuba
2Instituto Superior Politécnico "José Antonio Echeverría", Centro de Investigación Microelectrónica, La Habana. Cuba
Año:
Volumen: 12
Número: 3
Paginación: 17-24
País: Cuba
Idioma: Español
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Descriptivo, analítico
Disciplinas: Ingeniería,
Química
Palabras clave: Ingeniería electrónica,
Fisicoquímica y química teórica,
Semiconductores,
Fabricación,
Boro,
Predifusion,
Fisicoquímica,
Acido fluorhídrico,
Silicio
Keyword: Engineering,
Chemistry,
Electronic engineering,
Physical and theoretical chemistry,
Semiconductors,
Fabrication,
Silicon,
Prediffusion,
Physical chemistry,
Hydrofluoric acid,
Boron
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