Diseno y fabricacion de transistores de media potencia



Título del documento: Diseno y fabricacion de transistores de media potencia
Revista: Ingeniería electrónica, automática y comunicaciones
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000051309
ISSN: 0258-5944
Autores: 1
Instituciones: 1Instituto Superior Politécnico "José Antonio Echeverría", La Habana. Cuba
Año:
Periodo: Mar
Volumen: 2
Número: 1
Paginación: 95-103
País: Cuba
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Aplicado
Disciplinas: Ingeniería
Palabras clave: Ingeniería electrónica,
Fabricación,
Resistencia térmica,
Transistores
Keyword: Engineering,
Electronic engineering,
Construction,
Thermal resistance,
Transistors
Solicitud del documento
Nota: El envío del documento tiene costo.









Los documentos originales pueden ser consultados en el Departamento de Información y Servicios Documentales, ubicado en el Anexo de la Dirección General de Bibliotecas (DGB), circuito de la Investigación Científica a un costado del Auditorio Nabor Carrillo, zona de Institutos entre Física y Astronomía. Ciudad Universitaria UNAM. Ver mapa
Mayores informes: Departamento de Información y Servicios Documentales, Tels. (5255) 5622-3960, 5622-3964, e-mail: sinfo@dgb.unam.mx, Horario: Lunes a viernes (8 a 16 hrs.)