Desarrollo de una fuente de impurezas aceptoras para la obtencion de uniones profundas en silicio
Título del documento: Desarrollo de una fuente de impurezas aceptoras para la obtencion de uniones profundas en silicio
Revista: Ingeniería electrónica, automática y comunicaciones
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000107777
ISSN: 0258-5944
Autores: 1
2
Instituciones: 1Instituto Superior Politécnico "José Antonio Echeverría", La Habana. Cuba
2Combinado Componentes Electrónicos Ernesto Che Guevara, Pinar del Río. Cuba
Año:
Volumen: 12
Número: 3
Paginación: 53-59
País: Cuba
Idioma: Español
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Descriptivo, analítico
Disciplinas: Ingeniería
Palabras clave: Ingeniería eléctrica,
Ingeniería electrónica,
Semiconductores,
Electrónica,
Uniones profundas,
Impurezas,
Silicio
Keyword: Engineering,
Electrical engineering,
Electronic engineering,
Semiconductors,
Electronics,
Deep connections,
Impurities,
Silicon
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