Control de la dosis de iones implantados
Título del documento: Control de la dosis de iones implantados
Revista: Ingeniería electrónica, automática y comunicaciones
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000114932
ISSN: 0258-5944
Autores: 1
2
Instituciones: 1Combinado Componentes Electrónicos Ernesto Che Guevara, Pinar del Río. Cuba
2Instituto Superior Politécnico "José Antonio Echeverría", Fac Ingenieria Electrica, La Habana. Cuba
Año:
Volumen: 13
Número: 2
Paginación: 53-60
País: Cuba
Idioma: Español
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Experimental, descriptivo
Disciplinas: Ingeniería,
Física y astronomía
Palabras clave: Ingeniería eléctrica,
Ingeniería electrónica,
Física atómica y molecular,
Semiconductores,
Dopado,
Iones impantados
Keyword: Engineering,
Physics and astronomy,
Electrical engineering,
Electronic engineering,
Atomic and molecular physics,
Semiconductors,
Doping,
Ion implantation
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