High resistivity silicon layers obtained by hydrogen ion implantation
Título del documento: High resistivity silicon layers obtained by hydrogen ion implantation
Revista: Brazilian journal of physics
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000134763
ISSN: 0103-9733
Autores: 1
Instituciones: 1Universidade de Sao Paulo, Escola Politecnica, Laboratorio de Microelectronica, Sao Paulo. Brasil
Año:
Periodo: Dic
Volumen: 27A
Número: 4
Paginación: 237-239
País: Brasil
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Analítico
Disciplinas: Física y astronomía
Palabras clave: Física de materia condensada,
Semiconductores,
Silicio,
Implantación de iones,
Hidrógeno,
Resistividad
Keyword: Physics and astronomy,
Condensed matter physics,
Semiconductors,
Silicon,
Ion implantation,
Hydrogen,
Resistivity
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