AlGaAs/InGaAs PHEMTs with asymmetrically recessed gates achieved through a four layer resist process
Título del documento: AlGaAs/InGaAs PHEMTs with asymmetrically recessed gates achieved through a four layer resist process
Revista: Brazilian journal of physics
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000134431
ISSN: 0103-9733
Autores: 1
Instituciones: 1University of Illinois, Dept. Electrical Engineering, Urbana, Illinois. Estados Unidos de América
2Texas Instruments, Corp. Research Development, Dallas, Texas. Estados Unidos de América
Año:
Periodo: Dic
Volumen: 27A
Número: 4
Paginación: 130-133
País: Brasil
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Analítico
Disciplinas: Física y astronomía,
Ingeniería
Palabras clave: Física de materia condensada,
Ingeniería electrónica,
Semiconductores,
Transistores,
Microelectrónica,
Movilidad electrónica
Keyword: Physics and astronomy,
Engineering,
Condensed matter physics,
Electronic engineering,
Semiconductors,
Transistors,
Microelectronics,
Electronic mobility
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