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Transport properties of heavily doped al 0.3 ga 0.7 as semiconducting alloys
Ribeiro, G.M1; Soares, D.A.W; Oliveira, A.G; Medeiros Ribeiro, G
1Universidade Federal de Minas Gerais, Instituto de Ciencias Exatas, Belo Horizonte, Minas Gerais. Brasil
[ Brazilian journal of physics, Brasil, 1994 Vol. 24 Núm. 1 Mar, Pág. 375-378]
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Wire crystals of gaas and inas grown by molecular beam epitaxy on porous silicon
Gusev, G1; Rossi, J.C; Basmaji, P; Lubyshev, D.I
1Universidade de Sao Paulo, Inst Fisica Quimica, Sao Carlos, Sao Paulo. Brasil
[ Brazilian journal of physics, Brasil, 1994 Vol. 24 Núm. 1 Mar, Pág. 340-343]
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Energy transport in mirror machine LISA at electron cyclotron resonance
Serbeto, A1; Rapozo, C.C; Torres Silva, H
1Universidad de Tarapacá, Facultad de Ingeniería, Arica. Chile; 2Universidade Federal Fluminense, Instituto de Física, Niteroi, Rio de Janeiro. Brasil
[ Brazilian journal of physics, Brasil, 1993 Vol. 23 Núm. 4 Dic, Pág. 375-381]
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Dissociation cross sections for fast hydrogen molecular ions incident on helium and argon
Borges, I1; Jalbert, G; Faria, N.V.C; Coelho, L.F.S
1Universidade Federal do Rio de Janeiro, Instituto de Física, Rio de Janeiro. Brasil; 2Pontificia Universidade Catolica do Rio de Janeiro, Departamento de Física, Rio de Janeiro. Brasil
[ Brazilian journal of physics, Brasil, 1993 Vol. 23 Núm. 3 Sep, Pág. 237-242]
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