| Revista: | Superficies y vacío |
| Base de datos: | PERIÓDICA |
| Número de sistema: | 000404707 |
| ISSN: | 1665-3521 |
| Autors: | Pérez Sánchez, G. Francisco1 Carrillo López, Jesús1 Luna Flores, Adán1 Morales Acevedo, Arturo2 |
| Institucions: | 1Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Instituto de Ciencias, Puebla. México 2Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, México, Distrito Federal. México |
| Any: | 2002 |
| Període: | Dic |
| Volum: | 15 |
| Paginació: | 50-54 |
| País: | México |
| Idioma: | Español |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Enfoque: | Analítico |
| Resumen en español | En este trabajo se presenta el desarrollo de programas en MathCad para determinar parámetros en estructuras metalaislante-semiconductor (MIS), como son: la concentración de impurezas en el semiconductor, la constante dieléctrica del aislante, la carga en el aislante, la densidad de estados superficiales en la interfaz aislante-semiconductor y la velocidad de generación superficial. Para la simulación de las curvas C-V se emplearon las ecuaciones convencionales para la capacitancia en alta frecuencia. Para la determinación experimental del tiempo de generación y la velocidad de generación superficiales, el dispositivo se cambia súbitamente de la condición de acumulación a la de agotamiento profundo, por medio de un pulso de voltaje, obteniendo así una respuesta transitoria C-t. Usando la teoría convencional de capacitores MIS fuera de equilibrio se obtiene un conjunto de ecuaciones analíticas, con las cuales se pueden ajustar los datos experimentales por medio de un programa en Mathcad |
| Resumen en inglés | In this work we present the development of programs in Mathcad to determine electrical parameters in metal-insulatorsemiconductor (MIS) structures, such as: the impurity concentration in the substrate, the insulator dielectric constant, charges in the oxide, trap density at the insulator-semiconductor interface and the surface generation velocity. For the simulation of the C-V curves, the conventional high frequency capacitance equations were employed. For determining the surface generation time and velocity, the device is changed abruptly from accumulation to deep depletion through a voltage pulse, causing a transient C-t response. Using the conventional theory of MIS capacitors out of equilibrium we obtain a set of analytic equations that can be fitted to the experimental data through a Mathcad program |
| Disciplines | Física y astronomía, Ingeniería, Ciencias de la computación |
| Paraules clau: | Física de materia condensada, Ingeniería de materiales, Programación, Semiconductores, Aislantes |
| Keyword: | Physics and astronomy, Engineering, Computer science, Condensed matter physics, Materials engineering, Programming, Semiconductors, Insulators |
| Text complet: | Texto completo (Ver PDF) |
