| Revista: | Superficies y vacío |
| Base de datos: | PERIÓDICA |
| Número de sistema: | 000342009 |
| ISSN: | 1665-3521 |
| Autores: | Domínguez, M. A1 Rosales, P1 Torres, A1 Molina, J1 Moreno, M1 Zúñiga, C1 Calleja, W1 Coyotl, Felipe2 |
| Instituciones: | 1Instituto Nacional de Astrofísica, Optica y Electrónica, Departamento de Electrónica, Tonantzintla, Puebla. México 2Universidad Politécnica de Tulancingo, División de Ingenierías, Tulancingo, Hidalgo. México |
| Año: | 2011 |
| Periodo: | Mar |
| Volumen: | 24 |
| Número: | 1 |
| Paginación: | 1-4 |
| País: | México |
| Idioma: | Español |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Enfoque: | Experimental, aplicado |
| Resumen en español | En este trabajo, se ha realizado la caracterización del oxido de silicio SOG (SOG-SiO2) depositado por la técnica sol-gel y recocido a 200 °C. Los resultados de la caracterización óptica y eléctrica muestran que los valores del índice de refracción (n) y de la constante dieléctrica (k) son muy cercanos a aquellos valores comúnmente reportados para el SiO2 crecido térmicamente. Nuestros resultados sugieren que el SOG-SiO2 recocido a 200 °C puede ser una alternativa para mejorar las características eléctricas de los transistores de película delgada (TFTs), entre otros dispositivos que son fabricados a bajas temperaturas |
| Resumen en inglés | Currently, the flexible electronics research field is of high interest because of the development of low cost products, such as solar cells and LCDs. Low temperature deposition processes are required in order to use flexible substrates. Nevertheless, the performance of the electronic devices built at temperatures below 350 °C is not as good as in CMOS technology. Thus, physical and electrical properties of semiconductor and insulator materials deposited at these low temperatures must be improved. In this work, characterization of SiO2 annealed at 200°C has been done. The optical and electrical characterization showed that the refractive index (n) and dielectric constant (k) values are similar to those of thermally grown SiO2. As can be observed, these results suggest that this SiO2 annealing at 200°C could be an alternative to improve electrical characteristics of TFTs, among other device applications |
| Disciplinas: | Ingeniería |
| Palabras clave: | Ingeniería de materiales, Ingeniería electrónica, Oxido de silicio, Recocido, Indice de refracción, Constante dieléctrica, Transistores, Semiconductores |
| Keyword: | Engineering, Electronic engineering, Materials engineering, Silicon oxide, Annealing, Refractive index, Dielectric constant, Transistors, Semiconductors |
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