On the transformation of a-Si:H surface to very thin insulating overlayer of device quality due to very low-energy particle impacts
Título del documento: On the transformation of a-Si:H surface to very thin insulating overlayer of device quality due to very low-energy particle impacts
Revista: Superficies y vacío
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000404709
ISSN: 1665-3521
Autors: 1
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6
Institucions: 1Slovak Academy of Sciences, Institute of Physics, Bratislava. Eslovaquia
2Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, México, Distrito Federal. México
3Princeton University, Department of Electrical Engineering, Princeton, New Jersey. Estados Unidos de América
4Centre National de la Recherche Scientifique, Laboratoire de Cristallographie, Grenoble, Isere. Francia
5Military Academy, Faculty of Logistics, Liptovsky Mikulas. Eslovaquia
6Slovak University of Technology, Department of Physics, Bratislava. Eslovaquia
Any:
Període: Dic
Volum: 15
Paginació: 59-64
País: México
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Analítico
Disciplines Física y astronomía,
Ingeniería
Paraules clau: Física de materia condensada,
Ingeniería de materiales,
Plasmas,
Semiconductores,
Deposición química de vapor,
Cristalografía,
Películas delgadas
Keyword: Physics and astronomy,
Engineering,
Condensed matter physics,
Materials engineering,
Plasma,
Semiconductors,
Chemical vapor deposition,
Crystallography,
Thin films
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