Estudio de películas delgadas de Cd1-x Znx Te, para 0<x<1, utilizando la técnica CSVT-FE



Título del documento: Estudio de películas delgadas de Cd1-x Znx Te, para 0<x<1, utilizando la técnica CSVT-FE
Revista: Superficies y vacío
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000404697
ISSN: 1665-3521
Autors: 1
1
1
2
3
Institucions: 1Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada, Altamira, Tamaulipas. México
2Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Mérida, Yucatán. México
3Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Mérida, Yucatán. México
Any:
Període: Dic
Volum: 15
Paginació: 9-12
País: México
Idioma: Español
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Analítico
Resumen en español Películas delgadas de Cd1-xZnxTe fueron crecidas en substratos de vidrio utilizando la técnica transporte de vapor en espacio reducido combinada con evaporación libre (CSVT-FE, por sus siglas en ingles) usando la coevaporación de CdTe y ZnTe. La incorporación del Zn fue controlada por medio de la temperatura de la fuente de ZnTe. La composición de las películas fue determinada por medio de la espectroscopia de energía dispersiva de rayos-x y la difracción de rayos-x fue utilizada para evaluar la transición estructural del CdTe a ZnTe. Mediante espectroscopia de transmisión a temperatura ambiente se determino el ancho de la banda prohibida de la aleación. El parámetro de red y el ancho de energía prohibida de las muestras muestran una variación asociada con el cambio en la concentración de Zn
Resumen en inglés Cd1-x ZnxTe thin films were grown on corning glass substrate by the close space vapor transport combined with free evaporation technique (CSVT-FE) using coevaporation of CdTe and ZnTe. Zn incorporation was controlled by the temperature of ZnTe source. The composition of the films were determined by X-ray energy dispersive spectroscopy and X-ray diffraction was used to evaluate the structural transition of CdTe to ZnTe. The alloy band gap was determined by transmission spectroscopy. The lattice parameter and gap energy of the samples show a variation associated with the change in the Zn concentration
Disciplines Física y astronomía,
Ingeniería
Paraules clau: Física de materia condensada,
Ingeniería de materiales,
Ingeniería química,
Películas delgadas,
Cadmio,
Zinc,
Telurio,
Conductividad,
Semiconductores
Keyword: Physics and astronomy,
Engineering,
Condensed matter physics,
Chemical engineering,
Materials engineering,
Thin films,
Cadmium,
Zinc,
Tellurium,
Conductivity,
Semiconductors
Text complet: Texto completo (Ver PDF)