| Revista: | Superficies y vacío |
| Base de datos: | PERIÓDICA |
| Número de sistema: | 000404756 |
| ISSN: | 1665-3521 |
| Autors: | Luna Flores, Adán1 Carrillo López, Jesús2 Morales Acevedo, Arturo3 |
| Institucions: | 1Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Facultad de Ingeniería Química, Puebla. México 2Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Instituto de Ciencias, Puebla. México 3Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, México, Distrito Federal. México |
| Any: | 2003 |
| Període: | Sep |
| Volum: | 16 |
| Número: | 3 |
| Paginació: | 18-22 |
| País: | México |
| Idioma: | Español |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Enfoque: | Analítico |
| Resumen en español | En este trabajo se presenta un estudio de las propiedades dieléctricas de óxido de silicio nitridado (SiO2:N) y en la interfaz silicio / SiO2:N. Las capas dieléctricas de SiO2:N se depositaron térmicamente en un ambiente de óxido nitroso (N2O), variando la presión y temperatura en un rango de 1 a 3 atm y de 1000 a 1150 °C, respectivamente. También se hace una comparación entre las películas de SiO2:N y SiO2 depositado térmicamente en un ambiente de oxígeno seco a 1000 °C y 1 atm de presión. La caracterización se hizo utilizando dispositivos MIS mediante: (1) mediciones Capacitancia–Voltaje (C–V) a alta frecuencia, cuantificando la densidad de estados en la interfaz; (2) la obtención del campo eléctrico crítico, utilizando la técnica de rompimiento con rampa de voltaje (TZDB), y (3) la determinación de la carga a la ruptura (QBD), mediante la técnica de esfuerzo con corriente constante (TDDB–I). Los resultados obtenidos nos indican que el SiO2:N presenta mejores propiedades dieléctricas que el SiO2 térmico, principalmente en lo que a pasivación superficial del silicio se refiere |
| Resumen en inglés | In this work, a study on the dielectric characteristics of nitrided silicon oxide films (SiO2:N) and at the Si / SiO2:N interface is presented. The dielectric films were thermally deposited in N2O ambient with pressures in the range from 1 to 3 atm and temperatures from 1000 to 1150 °C. A comparison between SiO2:N and SiO2 films thermally-deposited in oxygen ambient at 1 atm and 1000 °C is also presented. The electric characterization was made with MIS devices by means of: (1) C–V measurements at high frequencies, with density interfacial traps quantification; (2) measurements of the critical electric field by Ramped Voltage Breakdown (TZBD) technique; (3) determination of the charge to breakdown (QBD) by Constant Current Stress (TDDB–I) measurements. The results indicate that SiO2:N films have better dielectric characteristics when compared to SiO2 films, mainly those characteristics related to silicon surface pasivation |
| Disciplines | Física y astronomía, Ingeniería |
| Paraules clau: | Física de materia condensada, Ingeniería de materiales, Ingeniería electrónica, Películas delgadas, Oxido de silicio, Oxido nitroso, Dieléctricos, Semiconductores |
| Keyword: | Physics and astronomy, Engineering, Condensed matter physics, Electronic engineering, Materials engineering, Thin films, Silicon oxide, Nitrous oxide, Dielectrics, Semiconductors |
| Text complet: | Texto completo (Ver PDF) |
