| Revista: | Superficies y vacío |
| Base de datos: | PERIÓDICA |
| Número de sistema: | 000404720 |
| ISSN: | 1665-3521 |
| Autors: | Rivera Alvarez, Z1 Guillén Cervantes, A1 López López, M1 Hernández, F2 Zamora Peredo, L3 Méndez García, V.H3 Huerta, J4 |
| Institucions: | 1Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, México, Distrito Federal. México 2Centro Nacional de Metrología, Querétaro. México 3Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Instituto de Investigación en Comunicación Optica, San Luis Potosí. México 4Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada, México, Distrito Federal. México |
| Any: | 2004 |
| Període: | Dic |
| Volum: | 17 |
| Número: | 4 |
| Paginació: | 23-27 |
| País: | México |
| Idioma: | Español |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Enfoque: | Analítico |
| Resumen en español | Con el fin de obtener el patrón de resistencia eléctrica mediante el efecto Hall cuántico se desarrollaron una serie de dispositivos basados en heteroestructuras AlGaAs/GaAs. El diseño, la fabricación de las heteroestructuras semiconductoras y el procesamiento para obtener los dispositivos fueron desarrollados totalmente en México. Se presentan los resultados de la caracterización de los dispositivos y se hace un análisis de la influencia de los contactos en la degradación de la cuantización de la resistencia. Se discuten modificaciones en la fabricación con el objetivo de obtener dispositivos para aplicaciones en Metrología |
| Resumen en inglés | In order to obtain the standard electrical resistance a set of quantum Hall effect devices based on AlGaAs/GaAs heterostructures were fabricated. The design, heterostructures fabrication and the overall process involved in the device fabrication were completely carried out in Mexico. The electrical measurements are presented, and the influence of the contacts on the degradation of resistance quantization is discussed. Several modifications are proposed in order to obtain Metrology quality devices |
| Disciplines | Física y astronomía, Ingeniería |
| Paraules clau: | Física, Ingeniería electrónica, Semiconductores, Efecto Hall cuántico, Resistencia eléctrica, Galio, Arsénico, Aluminio |
| Keyword: | Physics and astronomy, Engineering, Physics, Electronic engineering, Semiconductors, Quantum Hall effect, Electrical resistance, Gallium, Arsenic, Aluminum |
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