| Revista: | Superficies y vacío |
| Base de datos: | PERIÓDICA |
| Número de sistema: | 000404897 |
| ISSN: | 1665-3521 |
| Autors: | Munguia, J.E1 Sánchez, V.M1 Estrada, M1 |
| Institucions: | 1Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, México, Distrito Federal. México |
| Any: | 2003 |
| Període: | Jun |
| Volum: | 16 |
| Número: | 2 |
| Paginació: | 34-37 |
| País: | México |
| Idioma: | Español |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Enfoque: | Analítico |
| Resumen en español | Usando la técnica de depósito fotoquímico en fase vapor (Foto-CVD) se obtuvieron velocidades menores que 0.56 nm/min para el depósito de películas de SiO2, las cuales son adecuadas para el crecimiento de capas delgadas y ultradelgadas de SiO2. Se seleccionó al SiH4 como fuente de silicio y al N2O como fuente de oxígeno. Se trabajó con presiones en el rango de 1 a 3 Torr. La temperatura de depósito fue de 200°C. Las características eléctricas de las capas depositadas fueron medidas usando las técnicas I-V y C-V, obteniéndose una densidad de estados en la interfaz aceptable, así como valores típicos de la densidad de corriente para iguales espesores de capas obtenidas por oxidación térmica y PECVD (depósito químico en fase vapor asistido por plasma) |
| Resumen en inglés | Very low deposition rates, below 0.56 nm/min of SiO2 were obtained using photo-induced chemical vapor deposition (Photo-CVD). These low deposition rates are adequate to grow very thin and ultra thin layers of SiO2. SiH4 was selected as silicon source and N2O as oxygen source. We worked with pressures in the range of 1 to 3 Torr. Deposition temperature was 200°C. The electric characteristics of the deposited layers were measured using I-V and C-V curves. Results indicated an acceptable density of states in the interface as well as typical values of current density for good quality layers with corresponding thickness obtained by thermal oxidation and PECVD |
| Disciplines | Física y astronomía, Ingeniería |
| Paraules clau: | Física de materia condensada, Ingeniería de materiales, Películas delgadas, Dióxido de silicio |
| Keyword: | Physics and astronomy, Engineering, Condensed matter physics, Materials engineering, Thin films, Silicon dioxide |
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