| Revista: | Superficies y vacío |
| Base de datos: | PERIÓDICA |
| Número de sistema: | 000404708 |
| ISSN: | 1665-3521 |
| Autors: | Pérez Sánchez, G. Francisco1 Carrillo López, Jesús1 Morales Acevedo, Arturo2 |
| Institucions: | 1Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Instituto de Ciencias, Puebla. México 2Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, México, Distrito Federal. México |
| Any: | 2002 |
| Període: | Dic |
| Volum: | 15 |
| Paginació: | 55-58 |
| País: | México |
| Idioma: | Español |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Enfoque: | Analítico |
| Resumen en español | Una de las técnicas más empleadas para obtener oxinitruros de silicio es la de fase vapor a baja presión (LPCVD), la cual consiste en una reacción química del silano (SiH4), óxido nitroso (N2O) y amoníaco (NH3). En este trabajo se utilizaron temperaturas de 700 ºC y 800 ºC para el depósito de estas películas. Para llevar a cabo esto se variaron las razones de las presiones parciales del óxido nitroso a silano (R0), así como la razón de las presiones parciales del silano a amoniaco (R1), manteniendo constante la presión parcial del amoníaco; obteniendo así una diversidad de composiciones, desde SiO2 hasta Si3N4. Los índices de refracción y los espesores de las películas se determinaron por elipsometría. La caracterización eléctrica se realizó mediante mediciones C-V (Capacitancia–Voltaje) y C-t (Capacitancia-Tiempo). Se reportan resultados experimentales tales como velocidades de crecimiento, índices de refracción, constante dieléctrica, densidad de carga en el aislante, velocidad de generación y densidad de estados interfaciales y se establece la correlación entre las temperaturas de depósito y las propiedades antes mencionadas |
| Resumen en inglés | One of the more frequently used techniques to obtain silicon oxinitrides is by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD), which consists of a chemical reaction of silane (SiH4), nitrous oxide (N2O) and ammonia (NH3). In this work, temperatures of 700 ºC and 800 ºC were used for the deposition of these films. Different flows of the gaseous mixtures were used in order to obtain films with a diversity of stoichiometries by varying the ratio of the partial pressures of the nitrous oxide to the silane (R0), as well as the ratio of the partial pressures of the silane to the ammonia (R1), maintaining constant the partial pressure of the ammonia. This films cover the range from SiO2 to Si3N4. The refractive index and the thickness of the films were determined by ellipsometry. The electrical characterization was made by means of C-V (Capacitance-Voltage) and C-t (Capacitance-Time) measurements. We present experimental results such as growth velocities, refractive index, dielectric constant, charge density in the oxide, generation velocity and intrefacial density of states. A correlation between the deposition temperature and these properties is established |
| Disciplines | Física y astronomía, Ingeniería |
| Paraules clau: | Física de materia condensada, Ingeniería de materiales, Semiconductores, Deposición química de vapor, Silicio, Oxinitruro de silicio, Películas delgadas |
| Keyword: | Physics and astronomy, Engineering, Condensed matter physics, Materials engineering, Semiconductors, Chemical vapor deposition, Silicon, Silicon oxynitride, Thin films |
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