| Revista: | Superficies y vacío |
| Base de datos: | PERIÓDICA |
| Número de sistema: | 000404895 |
| ISSN: | 1665-3521 |
| Autors: | Rubio Ponce, A1 Olguín, D2 Hernández Calderón, I2 |
| Institucions: | 1Universidad Autónoma Metropolitana, Departamento de Ciencias Básicas, Azcapotzalco, Distrito Federal. México 2Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, México, Distrito Federal. México |
| Any: | 2003 |
| Període: | Jun |
| Volum: | 16 |
| Número: | 2 |
| Paginació: | 26-28 |
| País: | México |
| Idioma: | Inglés |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Enfoque: | Analítico |
| Resumen en inglés | We present results on ab initio calculations of the effective masses for the II-VI zinc-blende wide band gap semiconductor compounds. The electronic band structure has been calculated using the full potential linearized augmented plane waves method. By computing the curvature of the principal band extrema at the G-point we have calculated the effective mass values. We show that our calculated values compare acceptably well with values reported in the literature |
| Disciplines | Física y astronomía, Ingeniería |
| Paraules clau: | Física de materia condensada, Ingeniería de materiales, Estado sólido, Semiconductores, Estructura electrónica, Masa efectiva |
| Keyword: | Physics and astronomy, Engineering, Condensed matter physics, Materials engineering, Solid state, Semiconductors, Electronic structure, Effective mass |
| Text complet: | Texto completo (Ver PDF) |
