| Revista: | Superficies y vacío |
| Base de datos: | PERIÓDICA |
| Número de sistema: | 000404703 |
| ISSN: | 1665-3521 |
| Autors: | Bartolo Pérez, P1 Ceh, Jhonny2 Peña, J.L3 Zapata Navarro, A3 Farias, M.H4 |
| Institucions: | 1Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Mérida, Yucatán. México 2Universidad Autónoma de Yucatán, Facultad de Ingeniería, Mérida, Yucatán. México 3Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada, Altamira, Tamaulipas. México 4Universidad Nacional Autónoma de México, Centro de Ciencias de la Materia Condensada, Ensenada, Baja California. México |
| Any: | 2002 |
| Període: | Dic |
| Volum: | 15 |
| Paginació: | 30-33 |
| País: | México |
| Idioma: | Español |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Enfoque: | Analítico |
| Resumen en español | Se crecieron por rf sputtering sobre substratos de vidrio películas de óxidos de CdTe usando un plasma controlado de ArN2O. Las películas fueron estudiadas mediante la espectroscopia electrónica Auger (AES) y la espectroscopia de fotoelectrones de rayos X (XPS). En los perfiles de concentración Auger se muestran que, después de un periodo inicial, las amplitudes pico-pico de Cd, Te y O son constantes. El análisis cuantitativo con XPS muestra que la composición química depende de la presión parcial de N2O usada durante el crecimiento. La cantidad de oxigeno incorporado llega hasta aproximadamente el 60 at. %, mientras que el Cd y Te diminuyen desde el 40 at. % hasta el 20 at. %. Cuando se incrementa la presión parcial del N2O, se observa que la cantidad de enlaces Te-O aumenta, hasta llegar a su saturación cuando se forma el compuesto CdTeO3 |
| Resumen en inglés | CdTe oxide thin films were grown by means of rf sputtering on glass substrates using an Ar-N2O controlled plasma. Films were studied by Auger electron spectroscopy (AES) and by x-ray fotoelectron spectroscopy (XPS). The Auger in-depth profiles show, after an initial period, the peak-to-peak amplitudes of Cd, Te and O to be constant. The XPS quantitative analysis shows the chemical composition to depend on the N2O partial pressure used during film growth. The incorporation of oxygen reaches up to about 60 at. %, while the Cd and Te decrease, from 40 at. % down to 20 at. %. When the partial pressure of N2O is increased, it is observed an increase in the amount of Te-O bonds, until reaching saturation when CdTeO3 compound is formed |
| Disciplines | Física y astronomía, Ingeniería |
| Paraules clau: | Física de materia condensada, Ingeniería de materiales, Películas delgadas, Telururo de cadmio, Estructura electrónica, Pulverización catódica, Espectroscopía fotoelectrónica de rayos X |
| Keyword: | Physics and astronomy, Engineering, Condensed matter physics, Materials engineering, Thin films, Cadmium telluride, Electronic structure, Sputtering, X-ray photoelectron spectroscopy |
| Text complet: | Texto completo (Ver PDF) |
