Superficies y vacío (371 documentos)


261.-
Synthesis and characterization of a-CNx thin films prepared by laser ablation
Arrieta, A1; Escobar Alarcón, L1; Camps, E1; Muhl, S2
1Instituto Nacional de Investigaciones Nucleares, Departamento de Física, México, Distrito Federal. México; 2Universidad Nacional Autónoma de México, Instituto de Investigaciones en Materiales, México, Distrito Federal. México
[Superficies y vacío, México, 2004 Vol. 17 Num. 3 Sep, Pàg. 17-20]

262.-
Technological aspects of growth and optical properties of thin CIGS films
Horley, P.P1; Vorobiev, Y.V1; Khomyak, V.V2; Gorley, V.V2; Bilichuk, S.V2; González Hernández, J3
1Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Querétaro. México; 2Yuriy Fedkovych Chernivtsi National University, Department of Physical Electronics and Non-Traditional Energy Sources, Chernivtsi. Ucrania; 3Centro de Investigación en Materiales Avanzados S.C., Chihuahua. México
[Superficies y vacío, México, 2004 Vol. 17 Num. 3 Sep, Pàg. 12-16]

263.-
264.-
265.-
Resistencia adhesiva interfacial de vidrios laminados con películas delgadas
Aguilar, J.O1; Gómez Daza, O1; Nair, M.T.S1; Nair, P.K1; Brito, A2
1Universidad Nacional Autónoma de México, Centro de Investigación en Energía, Temixco, Morelos. México; 2Instituto de Investigaciones Eléctricas, Gerencia de Materiales y Procesos Químicos, Temixco, Morelos. México
[Superficies y vacío, México, 2004 Vol. 17 Num. 2 Jun, Pàg. 15-20]

266.-
Thermodynamic models of molecular beams
Elyukhin, V.A1; Peña Sierra, R1; García Salgado, G2
1Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, México, Distrito Federal. México; 2Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Centro de Investigación en Dispositivos Semiconductores, Puebla. México
[Superficies y vacío, México, 2004 Vol. 17 Num. 2 Jun, Pàg. 25-28]

267.-
268.-
269.-
AISI 304 nitriding by PIII in DC toroidal plasmas
Valencia, R1; López Callejas, R2; Muñoz, A1; Barocio, S.R1; Chávez, E1; Godoy Cabrera, O2
1Instituto Nacional de Investigaciones Nucleares, Laboratorio de Física de Plasmas, México, Distrito Federal. México; 2Instituto Tecnológico de Toluca, Departamento de Electrónica, Toluca, Estado de México. México
[Superficies y vacío, México, 2004 Vol. 17 Num. 1 Mar, Pàg. 17-20]

270.-
Cálculo de primeros principios de las propiedades electrónicas de nitruros del grupo III-V
López, E1; Arriaga, J1; Olguín, D2
1Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Instituto de Física, Puebla. México; 2Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, México, Distrito Federal. México
[Superficies y vacío, México, 2004 Vol. 17 Num. 1 Mar, Pàg. 21-26]

271.-
272.-
273.-
Optical properties of Au nanoparticles embedded in ZrO2 thin films prepared by dip-dry technique
Huang, W1; Shi, J1; Arizpe Chavez, H2; Zayas, María Elena2; Ma, G3; Espinoza Beltrán, F.J4
1Chinese Academy of Sciences, Shanghai Institute of Ceramics, Shanghai. China; 2Universidad de Sonora, Departamento de Investigación en Física, Hermosillo, Sonora. México; 3Fudan University, Department of Physics, Shanghai. China; 4Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Querétaro. México
[Superficies y vacío, México, 2004 Vol. 17 Num. 1 Mar, Pàg. 13-16]

274.-
Photoluminescence in off-stoichiometric silicon oxide compounds
Yu, Z1; Aceves, M1; Carrillo, J2; Flores, F2; Falcony, C3; Domínguez, C4; Llobera, A4; Morales Acevedo, A3
1Instituto Nacional de Astrofísica, Optica y Electrónica, Tonantzintla, Puebla. México; 2Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Instituto de Ciencias, Puebla. México; 3Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, México, Distrito Federal. México; 4Consejo Superior de Investigaciones Científicas, Centro Nacional de Microelectrónica, Barcelona. España
[Superficies y vacío, México, 2004 Vol. 17 Num. 1 Mar, Pàg. 1-6]

275.-
Propiedades estructurales de la solución ternaria InGaP crecida sobre GaAs por el método de epitaxia de la fase líquida
Prutskij, T1; Silva Andrade, F1; Díaz Arencibia, P2; Mintairov, A3; Kosel, T3; Cook, R.E4
1Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Instituto de Ciencias, Puebla. México; 2Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, México, Distrito Federal. México; 3University of Notre Dame, Department of Electrical Engineering, Notre Dame, Indiana. Estados Unidos de América; 4University of Chicago, Argonne National Laboratory, Chicago, Illinois. Estados Unidos de América
[Superficies y vacío, México, 2004 Vol. 17 Num. 1 Mar, Pàg. 32-37]

276.-
Synthesis and characterization of materials for rechargeable lithium micro-batteries
Camacho López, M.A1; Haro Poniatowski, E1; Escobar Alarcón, L2; Julien, C3
1Universidad Autónoma Metropolitana, Departamento de Física, Iztapalapa, Distrito Federal. México; 2Instituto Nacional de Investigaciones Nucleares, Departamento de Física, México, Distrito Federal. México; 3Universite Pierre et Marie Curie, Laboratoire des Milieux Desordonnes et Heterogenes, París. Francia
[Superficies y vacío, México, 2004 Vol. 17 Num. 1 Mar, Pàg. 7-12]

277.-
Teoría rigurosa de la dispersión de haces gaussianos por una rejilla con sustrato metálico
Mata Méndez, O1; Chávez Rivas1; Sumaya Martínez, J2
1Instituto Politécnico Nacional, Escuela Superior de Física y Matemáticas, México, Distrito Federal. México; 2Universidad Autónoma del Estado de México, Facultad de Ciencias, Toluca, Estado de México. México
[Superficies y vacío, México, 2004 Vol. 17 Num. 1 Mar, Pàg. 27-31]

278.-
279.-
280.-
Critical thickness of Ge / GaAs(001) epitaxial films
Navarro Quezada, A1; Rodríguez, A.G1; Vidal, M.A1; Hernández Sosa, G1; Navarro Contreras, H1
1Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Instituto de Investigación en Comunicación Optica, San Luis Potosí. México
[Superficies y vacío, México, 2003 Vol. 16 Num. 4 Dic, Pàg. 42-44]