Subband structure comparison between n- and p-type double delta-doped GaAs quantum wells



Título del documento: Subband structure comparison between n- and p-type double delta-doped GaAs quantum wells
Revista: Revista mexicana de física
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000417364
ISSN: 0035-001X
Autors: 1
1
Institucions: 1Universidad Autónoma del Estado de Morelos, Facultad de Ciencias, Cuernavaca, Morelos. México
Any:
Període: Dic
Volum: 50
Número: 6
Paginació: 614-619
País: México
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Analítico, teórico
Resumen en español Calculamos la estructura de niveles electrónicos (tipo-n), así como la de huecos (tipo-p) de pozos cuánticos δ-dopados dobles (DDD) en GaAs. Se han tomando en cuenta los efectos de intercambio en el estudio. Las aproximaciones de Thomas-Fermi (TF) y Thomas-Fermi-Dirac (TFD) han sido implementadas para describir el doblamiento de la banda de conducción y de valencia respectivamente. El estudio de la estructura de niveles electrónicos y de huecos revela que los efectos de muchos cuerpos son mas importantes en los pozos DDD tipo-p que en los DDD tipo-n. De la misma manera nuestros resultados están en buen acuerdo con los datos experimentales disponibles
Resumen en inglés We compute the electron level structure (n-type) and the hole subband structure (p-type) of double δ-doped GaAs (DDD) quantum wells, considering exchange effects. The Thomas-Fermi (TF), and Thomas-Fermi-Dirac (TFD) approximations have been applied in order to describe the bending of the conduction and valence band, respectively. The electron and the hole subband structure study indicates that exchange effects are more important in p-type DDD quantum wells than in n-type DDD. Also our results agree with the experimental data available
Disciplines Física y astronomía
Paraules clau: Física de materia condensada,
Pozos dopados,
Estructura electrónica,
Efectos de multicuerpo
Keyword: Condensed matter physics,
Doped quantum wells,
Electron and hole states,
Exchange effects
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