Procesos de relajamiento en semiconductores altamente excitados. Parte II. Gaas y gan
Título del documento: Procesos de relajamiento en semiconductores altamente excitados. Parte II. Gaas y gan
Revista: Revista mexicana de física
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000033209
ISSN: 0035-001X
Autors: 1
Institucions: 1Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Instituto de Ciencias, Puebla. México
Any:
Període: Ago
Volum: 28
Número: 4
Paginació: 553-572
País: México
Idioma: Español
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Teórico
Disciplines Física y astronomía
Paraules clau: Estado sólido,
Fotoluminiscencia,
Galio,
Ecuaciones de Maxwell-Boltzman,
Semiconductores
Keyword: Physics and astronomy,
Gallium,
Maxwell-Boltzman equation,
Photoluminescence,
Semiconductors
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