| Revista: | Revista mexicana de física |
| Base de datos: | PERIÓDICA |
| Número de sistema: | 000332870 |
| ISSN: | 0035-001X |
| Autors: | Leal Romero, R1 Zaldivar Huerta, I.E2 Reynoso Hernández, J.A1 Reyes Betanzo, C2 Maya Sánchez, M.C1 Aceves Mijares, M2 |
| Institucions: | 1Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada, Ensenada, Baja California. México 2Instituto Nacional de Astrofísica Óptica y Electrónica, Puebla. México |
| Any: | 2010 |
| Període: | Feb |
| Volum: | 56 |
| Número: | 1 |
| Paginació: | 92-96 |
| País: | México |
| Idioma: | Español |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Enfoque: | Experimental, aplicado |
| Resumen en español | En este trabajo se estudia la utilización de grabado anisotrópico y SRO con la finalidad de mejorar el rendimiento de las guías de onda coplanares. Se presentan resultados experimentales de grabado seco de silicio monocristalino para su aplicación en la fabricación de guías de onda coplanares (CPW's) empleando un reactor RIE/ICP. Se observa la contribución de los componentes tanto físicos como químicos de grabado seco. Los gases reactivos que se utilizan son el hexafluoruro de azufre (SF6) mezclado con oxígeno (O2). Para el grabado se emplean enmascarantes de fotorresina (FR) y óxido de silicio (SiO2), este último es obtenido mediante depósito químico en fase vapor a presión atmosférica (APCVD). Se obtienen velocidades de grabado de 2.8 a 3.4 µm/min al utilizar SiO2 como enmascarante |
| Resumen en inglés | In this work, the anisotropic etching and the use of silicon rich oxide (SRO) are studied in order to improve the waveguide coplanar (CPW). Experimental results of dry etching of mono–crystalline silicon for application in CPW's using RIE/ICP reactor are presented. The contribution of the physical as much chemical components of dry etching is observed. The reactive gases that are used are Sulfur hexafluoride (SF6) mixed with oxygen (O2). For etching the silicon masks of photo–resist and silicon oxide (SiO2) are used, this last one is obtained by atmospheric pressure chemical vapor deposition (APCVD). Speed of etching from 2.8 to 3.4 µm/min are obtained when using SiO2 as mask |
| Disciplines | Física y astronomía |
| Paraules clau: | Física de materia condensada, Optica, Silicio monocristalino, Guía de onda coplanar, Grabado seco |
| Keyword: | Physics and astronomy, Condensed matter physics, Optics, Monocrystalline silicon, Coplanar waveguide, Dry etching |
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