Revista: | Revista mexicana de física |
Base de datos: | PERIÓDICA |
Número de sistema: | 000169818 |
ISSN: | 0035-001X |
Autors: | Peycov, P1 Aceves, M2 Diaz, T3 |
Institucions: | 1Instituto Nacional de Astrofísica, Optica y Electrónica, Tonantzintla, Puebla. México 2Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Instituto de Ciencias, Puebla. México 3Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Instituto de Ciencias, Puebla. México |
Any: | 2000 |
Període: | Oct |
Volum: | 46 |
Número: | 5 |
Paginació: | 485-489 |
País: | México |
Idioma: | Inglés |
Tipo de documento: | Artículo |
Enfoque: | Analítico |
Disciplines | Física y astronomía |
Paraules clau: | Física, Física de materia condensada, Silicio, Implantación de iones, Tiempo de vida, Proceso de gettering, Estructuras MOS, Semiconductores |
Keyword: | Physics and astronomy, Condensed matter physics, Physics, Silicon, Ion implantation, Lifetime, Gettering, MOS structures, Semiconductors |
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