| Revista: | Revista mexicana de física |
| Base de datos: | PERIÓDICA |
| Número de sistema: | 000340062 |
| ISSN: | 0035-001X |
| Autors: | Rosales Quintero, P1 Moreno Moreno, M1 Torres Jacome, A1 De la Hidalga Wade, F.J1 Molina Reyes, J1 Calleja Arriaga, W1 Zuñiga Islas, C1 |
| Institucions: | 1Instituto Nacional de Astrofísica, Optica y Electrónica, Departamento de Electrónica, Tonantzintla, Puebla. México |
| Any: | 2011 |
| Període: | Abr |
| Volum: | 57 |
| Número: | 2 |
| Paginació: | 133-139 |
| País: | México |
| Idioma: | Español |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Enfoque: | Experimental |
| Resumen en español | Heterouniones de a–SiGe:H tipo–n sobre silicio cristalino tipo–p con cuatro diferentes concentraciones pico en la base (l x lO15, 7 x lO16, 7 x l017 y 5 x lO18 cm–3) fueron fabricadas y caracterizadas. Los mecanismos de transporte se determinaron por medio de sus curvas características de corriente vs voltaje en función de la temperatura. El análisis de los resultados muestra que a bajos voltajes de polarización directa (V< 0.45V) en la heterounión con la menor concentración pico la corriente es determinada por la difusión de electrones del a–SiGe:H tipo–n hacia el silicio cristalino tipo–p. Mientras que el multituneleo captura–emisión (MTCE) es el principal mecanismo de transporte en las otras heterouniones. A altos voltajes de polarizacion directa (V> 0.45V) el efecto de corriente limitada por carga espacial (SCLC) es el mecanismo de transporte dominante en todos los dispositivos caracterizados. El incremento en la concentración de dopantes en la base, además, causa un aumento en la corriente inversa |
| Resumen en inglés | The charge transport mechanisms occurring in n–type a–SiGe:H on p–type c–Si heteroj unctions were determined by analyzing the temperature dependence of the current–voltage characteristics in structures with four different peak base doping concentrations (NB = 1 x 1015, 7 x 1016, 7 x l017 and 5 x lO18 cm–3). From the experimental results, we observed that at low forward bias (V< 0.45V) the current is determined by electron diffusion from the n–type amorphous film to the p–type c–Si for the heterojunction with NB = 1 x 1015cm–3, whereas the Multi–Tunneling Capture Emission (MTCE) was identified as the main transport mechanism for the other base doping concentrations. On the other hand, at high forward bias (V> 0.45V), the space charge limited current effect became the dominant transport mechanism for all the measured devices. Under reverse bias the transport mechanisms depends on the peak base doping, going from carrier generation inside the space charge region for the lowest doping, to hopping and thermionic field emission as the base doping concentration is increased |
| Disciplines | Física y astronomía |
| Paraules clau: | Física de materia condensada, Estado sólido, Semiconductores amorfos, Heterouniones, Mecanismos de transporte, Concentración de dopantes en la base |
| Keyword: | Physics and astronomy, Condensed matter physics, Solid state, Amorphous semiconductors, Heterojunctions, Transport mechanisms, Base doping concentration |
| Text complet: | Texto completo (Ver PDF) |
