| Revista: | Revista mexicana de física |
| Base de datos: | PERIÓDICA |
| Número de sistema: | 000345981 |
| ISSN: | 0035-001X |
| Autors: | Molina Valdovinos, S1 Gurevich, Yu. G1 |
| Institucions: | 1Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, México, Distrito Federal. México |
| Any: | 2011 |
| Període: | Ago |
| Volum: | 57 |
| Número: | 4 |
| Paginació: | 368-374 |
| País: | México |
| Idioma: | Inglés |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Enfoque: | Experimental, analítico |
| Resumen en español | Presentamos un nuevo modelo del efecto Hall en el caso de semiconductores bipolares. Se toma en cuenta portadores fuera de equilibrio, procesos de generación y recombinación asistidos por trampas (modelo de Shockley–Read). Se obtienen expresiónes para los potenciales electroquímicos de electrones y huecos, campo de Hall y constante de Hall RH. Estudiamos la dependencia de estás expresiónes de la distribución de portadores a lo largo de la dirección del campo Hall, en el caso de semiconductores intrínsecos y extrínsecos |
| Resumen en inglés | A new model of the Hall effect in the case of a bipolar semiconductor is present. Taking into account the nonequilibrium carriers, thermal generation and recombination processes assisted by traps (Shockley–Read model), the expressions for the electrochemical potential of electrons and holes, Hall field and Hall constant RH are obtained. The dependence of these expressions of the distribution of the carriers along the direction of the Hall field in the case of intrinsic and extrinsic semiconductors is studied |
| Disciplines | Física y astronomía |
| Paraules clau: | Electromagnetismo, Semiconductores bipolares, Galvanomagnetismo, Efecto de Hall, Potencial electroquímico |
| Keyword: | Physics and astronomy, Electromagnetism, Bipolar semiconductors, Galvanomagnetism, Hall effect, Electrochemical potential |
| Text complet: | Texto completo (Ver HTML) |
