| Revista: | Revista mexicana de física |
| Base de datos: | PERIÓDICA |
| Número de sistema: | 000339527 |
| ISSN: | 0035-001X |
| Autors: | Power, Ch1 Calderón, E1 González, J2 Chervin, J.C3 |
| Institucions: | 1Universidad de Los Andes, Centro de Estudios de Semiconductores, Mérida. Venezuela 2Universidad de Cantabria, Departamento de Ciencias de la Tierra y Física de la Materia Condensada, Santander. España 3Universite Pierre et Marie Curie, Institut de Mineralogie et de Physique des Milieux Condenses, París. Francia |
| Any: | 2011 |
| Període: | Feb |
| Volum: | 57 |
| Número: | 1 |
| Paginació: | 35-39 |
| País: | México |
| Idioma: | Inglés |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Enfoque: | Experimental |
| Resumen en español | En el presente trabajo estudiamos el comportamiento en presión del espectro de absorción (óptica de una muestra monocristalina de AgGaS2, realizando medidas en el rango de energías del infrarrojo, desde 0.30 hasta 0.70 eV, para presiones P inferiores a 4 GPa y temperatura ambiente T, utilizando para ello una celda de yunques de diamantes en combinación con la técnica de micro–espectroscopia infrarroja [1]. Con este estudio determinamos la variación de su índice de refracción n en función de la presión, en el rango de estabilidad de la estructura calcopirita [2–6], así como la variación en presión de las constantes dielectricas estática (ε0) y de alta frecuencia (ε∞). Nuestros resultados del índice de refracción a presión y temperatura ambiente en el AgGaS2 pueden compararse con los valores experimentales reportados por Boyd et al. [7] |
| Resumen en inglés | In this work, we study the pressure behavior of the optical absorption spectrum of a single crystal AgGaS2, taking measurements in the infrared energy range from 0.30 up to 0.70 eV for pressures values P below 4GPa and room temperature T, using a diamond anvil cell in combination with infrared micro spectroscopy technique [1]. With this study, we determine the refraction index n variations in terms of pressure within the stability range of the chalcopyrite structure [2–6] as well as the changes under pressure of both the static (ε0) and high frequency (ε∞) dielectric constants. These results can be compared with the experimental values reported by Boyd et al. [7] |
| Disciplines | Física y astronomía |
| Paraules clau: | Física de materia condensada, Optica, Termodinámica y física estadística, Semiconductores I–III–VI2, Infrarrojo, Altas presiones |
| Keyword: | Physics and astronomy, Condensed matter physics, Optics, Thermodynamics and statistical physics, I–III–VI2 semiconductor, Infrared, High pressure |
| Text complet: | Texto completo (Ver PDF) |
