| Revista: | Revista mexicana de física |
| Base de datos: | PERIÓDICA |
| Número de sistema: | 000333900 |
| ISSN: | 0035-001X |
| Autors: | Donghwan, Kim1 McCandless, B.E1 Hegedus, S.S1 Birkmire, R.W1 |
| Institucions: | 1University of Delaware, Institute of Energy Conversion, Newark, Delaware. Estados Unidos de América |
| Any: | 2007 |
| Període: | Ene |
| Volum: | 53 |
| Número: | 1 |
| Paginació: | 5-8 |
| País: | México |
| Idioma: | Inglés |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Enfoque: | Experimental, aplicado |
| Resumen en español | Se estudiaron películas de sulfuro de cobre (CuxS) como material de contacto posterior para células solares de CdTe. Las películas de CuxS se hicieron por deposición en baño químico de solución acuosa. El recocido a 200°C en Ar mejoró el rendimiento de las células solares. Mediante la estructura CdS/CdTe/CuxS/C, se obtuvo un voltaje de circuito abierto (VCA) superior a los 840 mV y una eficacia de conversin de energía superior al 11% |
| Resumen en inglés | Copper sulfide (CuxS) films were studied as a back contact material for CdTe solar cells. The CuxS films were made by chemical bath deposition in aqueous solution. Annealing at 200°C in Ar improved the performance of the solar cells. Using the CdS/CdTe/CuxS/C structure, an open–circuit voltage (Voc) higher than 840 mV and an energy conversion efficiency higher than 11% were obtained |
| Disciplines | Ingeniería |
| Paraules clau: | Ingeniería de materiales, Celdas solares, Sulfito de cobre, Telurio de cadmio, Resistencia de contacto |
| Keyword: | Engineering, Materials engineering, Solar cells, Copper sulfide, Cadmium telluride, Contact resistance |
| Text complet: | Texto completo (Ver HTML) |
