| Revista: | Memoria Electro - Congreso Internacional de Ingeniería Electrónica |
| Base de datos: | PERIÓDICA |
| Número de sistema: | 000274119 |
| ISSN: | 1405-2172 |
| Autors: | Loyo Maldonado, V1 Austria Medina, G Durón León, S |
| Institucions: | 1Instituto Nacional de Astrofísica, Optica y Electrónica, Departamento de Electrónica, Tonantzintla, Puebla. México |
| Any: | 1996 |
| Període: | Oct |
| Volum: | 18 |
| Paginació: | 1-3 |
| País: | México |
| Idioma: | Español |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Enfoque: | Experimental |
| Resumen en español | El propósito de este trabajo es mostrar los resultados de la caracterización eléctrica de on MOSFET de dos drenajes para ser utilizado como sensor magnético. Se fabricaron transistores con diferentes dimensiones con la finalidad de responder mejor a las variaciones de campo magnético |
| Resumen en inglés | In this paper is shown the results of split-drain MOSFET's electrical characterization. This split-drain device was fabricated with different aspect radio (W/L) |
| Disciplines | Ingeniería |
| Paraules clau: | Ingeniería electrónica, MOSFET, Campo magnético, Sensores magnéticos, Transistores |
| Keyword: | Engineering, Electronic engineering, MOSFET, Magnetic field, Magnetic sensors, Transistors |
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