| Revista: | Memoria Electro - Congreso Internacional de Ingeniería Electrónica |
| Base de datos: | PERIÓDICA |
| Número de sistema: | 000274128 |
| ISSN: | 1405-2172 |
| Autors: | Mariscal Magaña, A1 Torres Jácome, A |
| Institucions: | 1Instituto Nacional de Astrofísica, Optica y Electrónica, Departamento de Electrónica, Tonantzintla, Puebla. México |
| Any: | 1996 |
| Període: | Oct |
| Volum: | 18 |
| Paginació: | 26-31 |
| País: | México |
| Idioma: | Español |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Enfoque: | Analítico |
| Resumen en español | El siguiente artículo representa los valores de los parámetros físicos que utilizan los modelos de SPICE, obtenidos de la caracterización de CI's MOS (tecnología AMS 1.2u) a temperaturas criogénicas (10K, 77K), así como los métodos empleados para la obtención de los mismos. El objetivo de esta caracterización es emplear los resultados en el diseño de amplificadores operacionales que funcionen a bajas temperaturas. Aunque el artículo se refiere específicamente al transistor MOS de canal N, estos métodos se aplican también a los dispositivos de canal P, con los cambios apropiados de polaridad |
| Resumen en inglés | This paper shows the values of physical parameters that are utilized by SPICE models, this values were obtained by means of IC's MOS (AMS 1.2u technology) low temperature characterization (10K, 77K), it also shows the techniques that were utilized to obtain this values. The goal of this characterization is to use this results to design op-amps that will work at low temperature. Although we refer this article to N channel MOST's, this technique can also be used to P channel MOST's |
| Disciplines | Ingeniería |
| Paraules clau: | Ingeniería electrónica, Circuitos integrados, CMOS, Caracterización, Parámetros termodinámicos, Bajas temperaturas |
| Keyword: | Engineering, Electronic engineering, Integrated circuits, CMOS, Characterization, Thermodynamic parameters, Low temperature |
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