Rendimiento en circuitos integrados mos
Título del documento: Rendimiento en circuitos integrados mos
Revista: Ingeniería electrónica, automática y comunicaciones
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000088149
ISSN: 0258-5944
Autors: 1
Institucions: 1Instituto Superior Politécnico "José Antonio Echeverría", Facultad de Electrónica, Cibernética y Comunicaciones, La Habana. Cuba
Any:
Període: Sep
Volum: 5
Número: 3
Paginació: 387-399
País: Cuba
Idioma: Español
Tipo de documento: Reporte técnico
Enfoque: Descriptivo, analítico
Disciplines Ingeniería,
Ciencia y tecnología
Paraules clau: Ingeniería electrónica,
Tecnología,
Circuitos integrados,
MOS,
Rendimiento,
Densidad,
Elementos redundantes
Keyword: Engineering,
Science and technology,
Electronic engineering,
Technology,
Integrated circuits,
Mos,
Yield
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