Obtencion de capas de silicio depositadas quimicamente a partir de la fase gaseosa
Título del documento: Obtencion de capas de silicio depositadas quimicamente a partir de la fase gaseosa
Revista: Ingeniería electrónica, automática y comunicaciones
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000088168
ISSN: 0258-5944
Autores: 1
Instituciones: 1Instituto Superior Politécnico "José Antonio Echeverría", Facultad de Electrónica, Cibernética y Comunicaciones, La Habana. Cuba
Año:
Periodo: May
Volumen: 6
Número: 2
Paginación: 181-184
País: Cuba
Tipo de documento: Ensayo
Enfoque: Descriptivo
Disciplinas: Ingeniería,
Física y astronomía
Palabras clave: Ingeniería eléctrica,
Optica,
Silicio,
Deposicion quimica,
Fase gaseosa,
Reactor vertical
Keyword: Engineering,
Physics and astronomy,
Electrical engineering,
Optics,
Silicon,
Chemical deposition,
Gaseous phase,
Vertical reactor
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