La zona de operación segura en transistores de potencia
Título del documento: La zona de operación segura en transistores de potencia
Revista: Ingeniería electrónica, automática y comunicaciones
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000090224
ISSN: 0258-5944
Autores: 1
Instituciones: 1Instituto Nacional de Desarrollo y Aprovechamiento Forestal, Santiago de Cuba. Cuba
Año:
Periodo: Feb
Volumen: 6
Número: 1
Paginación: 56-63
País: Cuba
Idioma: Español
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Analítico, descriptivo
Disciplinas: Ingeniería,
Ciencias de la computación
Palabras clave: Ingeniería eléctrica,
Transistores,
Potencia,
Conmutación,
Computación,
Impedancia termica
Keyword: Engineering,
Computer science,
Electrical engineering,
Transistors,
Power,
Switching,
Computing,
Impedance-thermal
Solicitud del documento
Nota: El envío del documento tiene costo.









Los documentos originales pueden ser consultados en el Departamento de Información y Servicios Documentales, ubicado en el Anexo de la Dirección General de Bibliotecas (DGB), circuito de la Investigación Científica a un costado del Auditorio Nabor Carrillo, zona de Institutos entre Física y Astronomía. Ciudad Universitaria UNAM. Ver mapa
Mayores informes: Departamento de Información y Servicios Documentales, Tels. (5255) 5622-3960, 5622-3964, e-mail: sinfo@dgb.unam.mx, Horario: Lunes a viernes (8 a 16 hrs.)