| Revista: | Guillermo de Ockham |
| Base de datos: | CLASE |
| Número de sistema: | 000378841 |
| ISSN: | 1794-192X |
| Autors: | Londoño, César Leandro1 Vargas Hernández, Carlos J2 Jurado, Fabián2 |
| Institucions: | 1Universidad Autónoma de Manizales, Departamento de Física y Matemáticas, Manizales, Caldas. Colombia 2Universidad Nacional de Colombia, Bogotá. Colombia |
| Any: | 2009 |
| Període: | Jul-Dic |
| Volum: | 7 |
| Número: | 2 |
| Paginació: | 11-18 |
| País: | Colombia |
| Idioma: | Español |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Enfoque: | Analítico |
| Resumen en español | Se caracterizó estructural, vibracio- nal y eléctricamente películas de V 2 O 5 . nH 2 O sintetizadas por el método de enfriamiento rápido (quenching). Las películas sometidas a tratamientos tér- micos de 100 °C y 200 ºC durante 24 horas presentaron ligeras variaciones en la estructura cristalina, con orienta- ción preferencial a lo largo de [ a00 ]. La conductancia eléctrica mostró un com- portamiento tipo Arrhenius propio de materiales semiconductores, con ener- gías de activación de eV ± )0.001 0.246( para el material en polvo (sprinkle) y eV ± )0.002 0.262( para la película tratada térmicamente a 200°C por 24 horas. Estos valores de energía son muy cercanos a los reportados para el pentóxido de vanadio en bloque. Los espectros μ-Raman a temperatura ambiente, confirmaron la presencia de modos vibracionales propios del óxido de vanadio. Palabras clave: V 2 O 5 .nH 2 O, XRD, conductancia eléctrica, espectroscopia μ-Raman |
| Resumen en inglés | V 2 O 5 .nH 2 O films were characte- rized structurally, vibrationally, and electrically, as well as synthesized by the method of rapid cooling or quen- ching. The films submitted to thermal treatment among 100°C and 200°C during 24 hours showed slight variations in the crystal structure with a preferred orientation along [a00]. The electrical conductance showed an Arrhenius type behavior, typical of semiconductor materials, with activation energies of eV ± )0.001 0.246( for the sprinkle and eV ± )0.002 0.262( for the film submit- ted to thermal treatment at 200°C for 24 hours. These energy values are very close to those reported for vanadium pentoxide. μ-Raman spectra at room temperature confirmed the presence of vibrational modes, typical of vanadium oxide |
| Disciplines | Química, Ingeniería |
| Paraules clau: | Química industrial, Ingeniería de materiales, Conductividad electrica, Electromagnetismo, Pentóxido de vanadio, Películas amorfas |
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