Implementación de un sistema de depósito químico en fase vapor asistido por filamento caliente (HFCVD) para la obtención del semiconductor trióxido de tungsteno (WO3)
Título del documento: Implementación de un sistema de depósito químico en fase vapor asistido por filamento caliente (HFCVD) para la obtención del semiconductor trióxido de tungsteno (WO3)
Revista: Científica (México, D.F.)
Base de datos:
Número de sistema: 000594528
ISSN: 1665-0654
Autores: 1
1
1
Instituciones: 1TECNM: Tecnológico de Estudios Superiores de Jocotitlán,
Año:
Volumen: 26
Número: 2
Paginación: 1-12
País: México
Idioma: Español
Resumen en inglés Tungsten trioxide (WO3) powders were obtained using a HFCVD (Hot Filament Chemical Vapor Deposition) system. Three different colors (royal blue, sky blue and yellow) due to the change of the implemented precursor gas (argon (Ar) or argon with water vapor (Ar+ H2O) or air) were obtained. The powders were evaluated by X-Ray Diffraction (XRD) to determine the crystalline structure, the morphology was studied by Scanning Electron Microscopy (SEM), the elemental chemical composition was obtained by Energy Dispersive Spectroscopy (EDS). Finally, study of the structure was analyzed by RAMAN Spectroscopy. These techniques were able to demonstrate the presence of tungsten trioxide in the powders obtained.
Resumen en español Se obtuvieron polvos de trióxido de tungsteno (WO3) mediante un sistema de HFCVD (Hot Filament Chemical Vapor Deposition). Los polvos exhibieron tres diferentes coloraciones (azul rey, azul cielo y amarillo), debido al cambio del gas precursor usado (argón (Ar) o argón con vapor de agua (Ar+ H2O) o aire). Los polvos fueron evaluados por Difracción de Rayos-X (DRX) para la determinación de su estructura cristalina, su morfología fue observada mediante Microscopia Electrónica de Barrido (MEB), la composición química elemental se obtuvo por Espectroscopia de Energía Dispersiva (EDS). Por último, se analizaron las bandas de los enlaces presentes en el material con ayuda de Espectroscopia RAMAN. Estas técnicas lograron evidenciar la presencia del trióxido de tungsteno en los polvos obtenidos.
Palabras clave: semiconductores,
trióxido de tungsteno,
HFCVD
Keyword: semiconductors,
tungsten trioxide,
HFCVD
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