Raman scattering study of gaas grown on porous si by molecular beam epitaxy
Título del documento: Raman scattering study of gaas grown on porous si by molecular beam epitaxy
Revista: Brazilian journal of physics
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000007954
ISSN: 0103-9733
Autors: 1
Institucions: 1Universidade Federal de Sao Carlos, Departamento de Física, Sao Carlos, Sao Paulo. Brasil
Any:
Període: Mar
Volum: 24
Número: 1
Paginació: 337-339
País: Brasil
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Analítico
Disciplines Física y astronomía
Paraules clau: Física de materia condensada,
Raman,
Fonones,
Epitaxia,
Silicio poroso,
Espectroscopía,
Microscopía electrónica de barrido
Keyword: Physics and astronomy,
Condensed matter physics,
Raman,
Epitaxy,
Phonons,
Spectroscopy,
Porous silicon,
Scanning electron microscopy
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